2023年合肥高新區(qū) “揭榜掛帥” 榜單任務(wù) 發(fā)布，有想要揭榜的快來申報吧。下面來具體了解合肥高新區(qū) “揭榜掛帥” 榜單任務(wù) 申報流程材料說明，有什么疑問，可以咨詢小編了解。

合肥高新區(qū)揭榜掛帥申報免費咨詢：19855108130（手機/微信）

一、申報說明

本批榜單圍繞量子、集成電路、節(jié)能環(huán)保三大產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，公開進行揭榜申報，力爭解決制約我區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵核心問題。

揭榜方為省內(nèi)外有能力解決榜單任務(wù)的高校、科研院所、科技型企業(yè)或相關(guān)單位組成的聯(lián)合體。揭榜方與提出榜單任務(wù)單位（發(fā)榜方）不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系，且無不良信用記錄或重大違法行為。同等條件下，優(yōu)先支持長三角地區(qū)具有良好科研業(yè)績的單位和團隊揭榜攻關(guān)。鼓勵有基礎(chǔ)、有實力的優(yōu)勢企業(yè)，會同高校院所、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，組建創(chuàng)新聯(lián)合體，進行 “大手牽小手”聯(lián)合申報。

二、申報流程

1.選擇榜單。請揭榜方于2023年 4月12日前與高新區(qū)科技局聯(lián)系（聯(lián)系方式見后）。

2.對接揭榜。高新區(qū)科技局于4月 13日前向揭榜方提供發(fā)榜方聯(lián)系方式，請揭榜方于2023年 4 月16日前與發(fā)榜方對接。發(fā)榜方結(jié)合自身需求，選擇擬合作的揭榜方，并細(xì)化落實合作具體內(nèi)容，按有關(guān)規(guī)定簽訂意向合作協(xié)議或技術(shù)合同。

3.網(wǎng)上申報。發(fā)榜方確定好意向合作單位后，聯(lián)系高新區(qū)科技局按要求填寫項目申報任務(wù)書，上傳意向合作協(xié)議或技術(shù)合同等相關(guān)附件材料至郵箱。申報時間： 2023 年4月17 日 -2023 年4月 21 日。

4.評審立項。高新區(qū)科技局組織專家對申報的揭榜方解決方案進行評審，從揭榜方研究能力、解決方案的可行性、科學(xué)性、先進性、實施機制等方面，提出立項建議。

三、申報材料

申報需填報以下材料（由發(fā)榜方牽頭提供）:

1.填報《合肥高新區(qū)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)項目申報書》

2.科技成果材料：實行代表作制度（只列出與榜單任務(wù)相關(guān)的科技成果）。揭榜方近3 年獲得的重要獎項、承擔(dān)的主要科研項目、取得的專利和著作權(quán)、發(fā)表的重要論文及其他重要業(yè)績（成果）等情況，每個類別提供材料均不超過5項。

3.揭榜方與發(fā)榜方簽訂的意向合作協(xié)議或技術(shù)合同。

四、申報要求

發(fā)榜方、揭榜方填報材料須真實、有效，單位及項目負(fù)責(zé)人信用存在問題的，取消項目立項資格，依規(guī)對相關(guān)責(zé)任主體進行處理。

附件：關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)揭榜掛帥榜單

一、用于超導(dǎo)量子比特芯片的超高真空處理及封裝系統(tǒng)

需求目標(biāo)：

超高真空處理及封裝系統(tǒng)專用于量子比特芯片的表面處理、真空封裝以及真空傳送。該系統(tǒng)能夠保障所有封裝過程在超高真空下進行，并且對芯片表面進行退火、紫外照射、離子銑和表面鈍化處理以提高芯片相干時間，在封裝芯片的傳送和極低溫冷卻的過程中，封裝系統(tǒng)內(nèi)部仍可以保持高真空狀態(tài)，最大限度保障量子芯片無污染環(huán)境。

主要研究工作包括：

1.設(shè)計超高真空處理及封裝系統(tǒng)的實現(xiàn)方案，進行建模論證，并進行主要功能模塊設(shè)計，包括封裝主腔室和傳送腔室。

2.設(shè)計加工超高真空測試系統(tǒng)，對退火、紫外照射、離子銑和表面鈍化處理等芯片表面處理工藝進行驗證。

3.開發(fā)控制系統(tǒng)的軟件，使用測試系統(tǒng)重點調(diào)試實現(xiàn)各功能的參數(shù)設(shè)置。

4.對超高真空處理及封裝系統(tǒng)進行組裝、調(diào)試，使用量子比特芯片測試功能的可行性。

5.設(shè)計實驗，研究不同芯片處理方式及組合使用對量子比特性能的影響，得到提升芯片性能最優(yōu)的處理方式及參數(shù)設(shè)置。

6.進行控制系統(tǒng)的軟件開發(fā)，使用封裝系統(tǒng)重點調(diào)試高精度移動和超高真空互鎖控制系統(tǒng)。

7.超高真空處理及封裝系統(tǒng)導(dǎo)入量子比特芯片生產(chǎn)產(chǎn)線。

成果形式：

1.設(shè)備：用于超導(dǎo)量子計算芯片的超高真空處理及封裝、傳輸系統(tǒng)。用于超導(dǎo)量子計算芯片的超高真空表面處理系統(tǒng)。

2.軟件：用于控制真空封裝和表面處理系統(tǒng)的全自動軟件。

3.產(chǎn)品：提高量子比特芯片相干時間的高質(zhì)量封裝系統(tǒng)。

4.報告：《超高真空處理及封裝系統(tǒng)的實現(xiàn)方案報告》《超高真空處理及封裝系統(tǒng)對量子芯片的封裝報告》等報告。

5.知識產(chǎn)權(quán)：申請 發(fā)明專利不少于 6 項；授權(quán)發(fā)明 專利至少 2 項。

技術(shù)指標(biāo)：

1.封裝系統(tǒng)極限真空滿足：P≤5E-8 Pa ；

2.高真空封裝盒漏率Q≤5E-8 Pa?m3/s ；

3.樣品基臺溫度范圍：RT-800℃ ，精度±1℃；

4.Φ100 mm基板離子束清洗均勻性：＜ 3%；

5.鈍化腔體氣壓控制精度：＜ 10% ；

6.電子束蒸發(fā)鍍鈦范圍：Φ≥100 mm ；

7.紫外光源波長范圍：115-400 nm ；

8.紫外光源功率范圍：≥30 W ；

9.人機界面：全自動化人機操作界面；

10.預(yù)留接口，可以擴展高真空多腔系統(tǒng)；

11.安全：工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖 industry Safety Interlock ，報警Alarm， EMO 。

實測要求：

時間：2026年 1 月

方法：檢測腔體真空度，使用量子芯片及進行表面處理模塊功能驗證，精準(zhǔn)封裝測試，真空盒保壓測試，極低溫測試高真空封裝的量子比特性能。

指標(biāo)：

1.封裝主腔極限真空滿足： P≤5E-8 Pa ；

2.進樣腔極限真空滿足： P≤5E-6 Pa ；

3.高真空封裝盒漏率： Q≤5E-8 Pa?m3/s ；

4.樣品基臺溫度范圍： RT-800℃ ，精度±1℃；

5.Φ100 mm基板離子束清洗均勻性：＜ 3% ；

6.鈍化腔體氣壓控制精度：＜ 10% ；

7.電子束蒸發(fā)鍍鈦范圍： Φ≥100 mm 。

二、超導(dǎo)量子計算低溫信號調(diào)理關(guān)鍵器件

需求目標(biāo)：

在2～ 3 年內(nèi)，解決超導(dǎo)量子計算系統(tǒng)低溫信號調(diào)理環(huán)節(jié)中被“卡脖子 ” 元件的國產(chǎn)化，包括低溫低噪聲放大器、低溫環(huán)形器和低溫耦合器，實現(xiàn)從無到有的飛躍。

1.低溫低噪聲放大器

研究內(nèi)容：1 ）有源HEMT 器件低溫參數(shù)模型研究。主要研究器件低溫下S 參數(shù)和等效噪聲參數(shù)。2 ）低溫放大器電路金絲寬帶匹配技術(shù)研究。研究適用于極低溫度下的金絲寬帶匹配電路。 3）極低噪聲溫度指標(biāo)測試方法研究。4 ）微波芯片低溫放大器組裝工藝研究。

關(guān)鍵技術(shù)：1 ）有源HEMT 器件低溫參數(shù)提取技術(shù)；2 ）放大器寬帶匹配技術(shù)；3 ）極低噪聲溫度高精度測試技術(shù)； 4）微波芯片低溫微組裝技術(shù)。

2.低溫環(huán)形器

研究內(nèi)容：1 ）鐵氧體材料低溫特性參數(shù)提取研究。主要研究鐵氧體材料低溫下磁飽和強度參數(shù)變化。 2）低溫寬帶匹配技術(shù)。研究低溫條件下電路寬帶匹配。 3）低溫下鐵氧體材料特性配比測試技術(shù)。研究低溫下鐵氧體材料配比變化。

關(guān)鍵技術(shù)：鐵氧體材料低溫磁性參數(shù)測量技術(shù)。

3.低溫耦合器

研究內(nèi)容：在微波集成電路的設(shè)計制作中，兩個最重要電參數(shù)是介電常數(shù)和損耗角正切。因為微帶基片介質(zhì)特性參數(shù)具有一定離散性且在特定低溫下數(shù)據(jù)手冊中的參考值不適用，所以必須準(zhǔn)確測量微帶基片的低溫介質(zhì)特性，才能實現(xiàn)高品質(zhì)的低溫耦合器設(shè)計制作。研究采用諧振法測量微帶基片介電常數(shù)和損耗角正切。

關(guān)鍵技術(shù)：介質(zhì)基板低溫參數(shù)測量技術(shù)。

成果形式：

1.交付兩套可用于千比特量級超導(dǎo)量子計算體系所需的資源，即每套約 20~30 通路的讀取線路，在中大規(guī)模的超導(dǎo)量子計算機上進行多機、多通路的對比實測，驗證性能及可靠性測試。

2.交付元件的全套技術(shù)設(shè)計詳細(xì)文檔。

3. 項目結(jié)束后，3年內(nèi)可穩(wěn)定持續(xù)供應(yīng)上述成果的實體元件。

技術(shù)指標(biāo)：

1. 低溫環(huán)行器，工作溫度10mK ～ 4K，工作頻率至少覆蓋4 ～ 8GHz ，隔離度： ≥56dB，回波損耗： ≤-17dB ，插入損耗： ≤0.7dB。

2. 低溫低噪聲放大器，工作溫度4K ，工作頻率至少覆蓋 4～8GHz ，增益： ≥38dB，等效噪聲溫度： ≤3K，回波損耗： ≤-10dB ，功耗≤12mW， 1dB 壓縮點≥-12dBm 。

3. 低溫耦合器：工作溫度10mK ～ 4K，工作頻率至少覆蓋4 ～ 8GHz ，耦合度： 20±1dB，回波損耗： ≤-20dB ，插入損耗： ≤0.2 dB。

實測要求：

性能指標(biāo)需揭榜方在任務(wù)完成提交時，給出各元件的性能的第三方測試報告。測試方案可以自舉，但要求的所有指標(biāo)需要體現(xiàn)。

三、應(yīng)用于高精度 MEMS流量傳感器的信號處理電路

需求目標(biāo)：

擬基于 110nm工藝制程，開發(fā) CMOS 數(shù)模混合的流量傳感器信號處理電路芯片，數(shù)字部分基于ARM Cortex-M0 內(nèi)核開發(fā)芯片控制和輸入輸出接口，模擬部分主要包括可編程增益放大器 (PGA) 和Sigma-delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 。

1. 流量傳感器控制電路芯片

控制電路芯片主要實現(xiàn)對 MEMS流量傳感器的驅(qū)動控制、工作狀態(tài)配置、信號采集控制、信號處理控制和輸入輸出接口等功能。

2. 可編程增益放大器(PGA)

PGA 用于將傳感器的輸出信號進行放大，然后輸入給模數(shù)轉(zhuǎn)換器，以適配模數(shù)轉(zhuǎn)換的輸入量程，增益設(shè)計為8 、16、 32、 64 、128等檔位。

3. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

ADC 采用離散型增量式sigma-delta ADC ，采用過采樣和噪聲整形技術(shù)相結(jié)合以實現(xiàn)高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換，其由調(diào)制器和數(shù)字濾波器組成，分辨率達(dá)到16bit 以上、轉(zhuǎn)換速度達(dá)到1kSPS 以上。

主要研究工作包括：

數(shù)字部分完成內(nèi)核主控設(shè)計、存儲器設(shè)計、模擬功能控制設(shè)計、數(shù)字接口設(shè)計等。模擬部分主要完成可編程增益放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計。具體詳見技術(shù)指標(biāo)。

成果形式：

1. 編制“ 應(yīng)用于高精度 MEMS 流量傳感器的信號處理電路” 的技術(shù)文檔。

2. 芯片完成工程化驗證，實現(xiàn)量產(chǎn)，在工業(yè)控制、醫(yī)療器械和半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域應(yīng)用。

技術(shù)指標(biāo)：

1. 申請發(fā)明專利2 項以上。

2. PGA 的技術(shù)指標(biāo)如下：

3. ADC 的技術(shù)指標(biāo)如下：

實測要求：

完成芯片量產(chǎn)，主要技術(shù)參數(shù)指標(biāo)如下表：

四、雙碳溫室氣體激光雷達(dá)并行探測技術(shù)

需求目標(biāo) ： 研制溫室氣體并行探測激光雷達(dá)，同時實現(xiàn) CO2和 CH4濃度垂直分布高精度探測。

主要研究工作包括：

（ 1）多波長窄線寬中紅外激光器研制

突破中紅外啁啾脈沖光參量放大技術(shù)，利用啁啾脈沖光參量放大技術(shù)獲得高峰值功率、大脈沖能量的中紅外超短脈沖激光是目前國際上中紅外激光技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點。需要掌握高能量啁啾脈沖光參量放大過程中所需要的高脈沖能量參量泵浦源、高品質(zhì)中紅外非線性晶體、啁啾脈沖放大等關(guān)鍵技術(shù)，以突破西方國家在該領(lǐng)域?qū)ξ覀儑业募夹g(shù)封鎖和禁運。利用光參量放大器的被動相位穩(wěn)定特性實現(xiàn)相位穩(wěn)定的中紅外頻率梳，獲得功率、頻率穩(wěn)定輸出的中紅外頻率梳，波長范圍 3- 5 μ m ，梳齒間距 100MHz。

（ 2）大口徑接收望遠(yuǎn)鏡和后繼分光研制

需要采用大口徑接收望遠(yuǎn)鏡，直徑為 0.5米以上，接收視場角為 0.2- 1 mrad ，成像質(zhì)量要好，光斑質(zhì)量 RMS直徑達(dá)到 200um 。除了大口徑、小視場技術(shù)難度之外，還需要望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)要有很好的雜散光抑制效果，設(shè)備本身的熱輻射也不會對探測結(jié)果造成干擾。由于該系統(tǒng)要實現(xiàn)多種溫室氣體及相關(guān)同位素氣體探測需求，要求在后繼分光單元的光譜儀要求足夠光譜寬度。

（ 3）中紅外探測器研制

中紅外波段探測器的量子效率普遍較低，同時為了降低本底噪音，需要工作在零下 20度左右，為了實現(xiàn)多種溫室氣體紅外譜段信號的測量，探測器增益要達(dá)到 10-20倍，帶寬 200-1000MHz ，暗電流 50-150nA 。探測器要通過 TEC 等制冷技術(shù)，通過二級溫控，維持其較低的工作溫度，達(dá)到低噪聲、高增益的探測效果。

成果形式：

1. 研制溫室氣體并行探測激光雷達(dá) 1 臺，具備同時探測 CO2 和 CH4 濃度廓線探測功能；

2. 申請發(fā)明專利 1 項，實用新型專利 1 項，軟件著作權(quán) 1 項；

3. 在省內(nèi)氣象和環(huán)保業(yè)務(wù)部門開展示范應(yīng)用，提供用戶報告。

技術(shù)指標(biāo)：

1 、研制一臺雙碳溫室氣體并行探測激光雷達(dá)，具備同時探測 CO2 和 CH4 濃度廓線探測功能；

2 、在能見度≥ 10km 條件下，探測高度≥ 3km ；

3 、垂直分辨率： 30m-150m 可選；時間分辨率： 10min-30min 可選；

4 、望遠(yuǎn)鏡直徑：≥ 0.5m ；接收視場角： 0.2-1mrad 之間；

5 、激光器波長： 0.3-5 μ m 之間；脈寬：≤ 15ns ；發(fā)散角：≤ 0.5mrad ；

6 、采集卡采樣頻率≥ 20MHz ，轉(zhuǎn)換精度≥ 16bit ；

7 、二氧化碳探測精度≤ 2ppm ，甲烷探測精度≤ 0.05ppm 。

實測要求：符合技術(shù)指標(biāo)要求即可。

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